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產(chǎn)品中心

Product center

日本京都薄膜材料KTM用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料

發(fā)布時間：2020-08-14　點擊量：1542

我們的實驗室主要生產(chǎn)和銷售用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料。

我們提供各種材料來形成防反射膜，濾光片，透明導(dǎo)電膜，保護(hù)膜等。

該產(chǎn)品通過利用無機(jī)材料的粉末燒結(jié)技術(shù)來抑制氣相沉積過程中飛濺和廢氣的產(chǎn)生。

真空蒸鍍材料產(chǎn)品列表

■材料形狀
顆粒型φ5-90mm等，顆粒型0.5-1.5mm，1-3mm，長型，其他特殊形狀（拱形）


顆粒	顆粒	顆粒（脫氣型）	顆粒（長型）	拱

■氣相沉積法
電子束（EB），離子束，電阻加熱，激光燒蝕等。

沒有。	產(chǎn)品名稱（氧化物）	沒有。	產(chǎn)品名稱（氧化物）
1個	Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）	13	SnO2（氧化錫）
2	CeO2（氧化鈰）	14	Ta2O5（五氧化二鉭）
3	Cr2O3（氧化鉻）	15	Ti3O5（五氧化鈦）
四個	Fe2O3（氧化鐵）	16	TiO（一氧化鈦）
五	Ga2O3（氧化鎵）	17	TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
6	HfO2（氧化ha-氧化f）	18歲	WO3（氧化鎢）
7	ITO（In2O3 + SnO2）	19	Y2O3（氧化釔-氧化釔）
8	MgO（氧化鎂-氧化鎂）	20	Yb2O3（氧化y）
9	Nb2O5（五氧化二鈮）	二十一	ZnO（氧化鋅）
十	NiO（氧化鎳）	二十二	ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
11	SiO（一氧化硅）	二十三	ZRT2（ZrO2 + TiO2）
12	SiO2（氧化硅）

沒有。	產(chǎn)品名稱（氟化物）	沒有。	產(chǎn)品名稱（氟化物）
二十四	AlF3（氟化鋁）	31	LiF（氟化鋰）
二十五	BaF2（氟化鋇）	32	MgF2（氟化鎂）
26	BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）	33	NaF（氟化鈉）
27	CaF2（氟化鈣）	34	NdF3（氟化釹）
28	CeF3（氟化鈰）	35	SmF3（氟化mar）
29	GdF3（氟化ga）	36	YbF3（氟化tter）
30	LaF3（氟化鑭）	37	YF3（氟化釔）

沒有。	產(chǎn)品名稱（硫化物）	沒有。	產(chǎn)品名稱（硫化物）
38	硫化鋅

沒有。	產(chǎn)品名稱（氮化物）	沒有。	產(chǎn)品名稱（氮化物）
39	AlN（氮化鋁）	41	TiN（氮化鈦）
40	Si3N4（氮化硅）

1號	膜 /材料特性
	Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）
	膜特性 [折射率] 1.63（約550 nm） [工作波長范圍] 0.2至8μm　 [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 4.0g / cm ³ [熔點] 2046℃[沸點] 2980℃ [物質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：難溶

2號	膜 /材料特性
	CeO2（氧化鈰）
	膜特性 [折射率] 2.2（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.4-16μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	物性 [理論密度] 7.3 g / cm ³ [熔點] 1950°C [沸點]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸不溶于HCl，H ₂溶于 SO ₄和HNO ₃

3號	膜 /材料特性
	Cr2O3（氧化鉻）
	薄膜特性 [折射率] 2.24-i0.07（約700 nm） [ 工作波長范圍] 1.2至10μm [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 5.21 g / cm ³ [熔點] 2435°C [沸點] 4000°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

4號	膜 /材料特性
	Fe2O3（氧化鐵）
	膜特性 [折射率] 3.0（ 550nm 左右）[工作波長范圍]0.8?? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	物性 [理論密度] 5.24 g / cm ³ [熔點] 1,565°C [沸點]-　 [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)藥品性：可溶于鹽酸和硫酸

5號	膜 /材料特性
	Ga2O3（氧化鎵）
	膜特性 [折射率] 1.45（約550 nm） [波長范圍]- [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料性能 [理論密度] 5.95 g / cm ³ [熔點] 1900°C [沸點]-　 [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

6號	膜 /材料特性
	HfO2（氧化ha-氧化f）
	膜特性 [折射率] 1.95（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.23至12μm [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 9.68 g / cm ³ [熔點] 2810°C [沸點] 5400°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶

7號	膜 /材料特性
	ITO（In2O3 + SnO2）
	膜特性 [折射率] 2.06-i0.016（近500 nm） [ 工作波長范圍] 0.4至1μm [蒸發(fā)方法] EB	材料特性 [產(chǎn)品密度]- [熔點]-[沸點]-[ 材料 ] In2O3 = 可溶性（酸：無定形），不溶（水（酸：結(jié)晶））三角體系：850℃（揮發(fā)性） SnO2 =熔點：1630°C，沸點：180-1900°C（升華）可溶性（KOH，NaOH），不溶（水，王水）

8號	膜 /材料特性
	MgO（氧化鎂-氧化鎂）
	薄膜特性 [折射率] 1.74（約550 nm） [工作波長范圍] 0.23至9μm [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 3.58 g / cm ³ [熔點] 2800°C [沸點] 3600°C　 [性能]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶

9號	膜 /材料特性
	Nb2O5（五氧化二鈮）
	膜特性 [折射率] 2.33（約500 nm） [工作波長范圍] 0.32至8μm [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 4.47 g / cm ³ [熔點] 1520°C [沸點]-　 [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

10號	膜 /材料特性
	NiO（氧化鎳）
	膜特性 [折射率]- [波長范圍]-　 [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 6.82 g / cm ³ [熔點] 1955°C [沸點]-　 [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于鹽酸

11號	膜 /材料特性
	SiO（一氧化硅）
	膜特性 [折射率] 1.9（ 550nm 附近）[工作波長范圍] 0.55?8? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	物性 [理論密度] 2.24 g / cm ³ [熔點] 1,700°C以下[沸點]-　 [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸

12號	膜 /材料特性
	SiO2（氧化硅）
	膜特性 [折射率] 1.46（近500 nm） [ 工作波長范圍] 0.16-8μm　 [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 2.20 g / cm ³ [熔點] 1500°C [沸點] 2230°C [ 材料 ]○水溶性：不溶，不溶于酸，堿

13號	膜 /材料特性
	SnO2（氧化錫）
	膜特性 [折射率] 2.0（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.4?1.5? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料特性 [理論密度] 6.95 g / cm ³ [熔點] 1,565°C [沸點]-　 [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸

14號	膜 /材料特性
	Ta2O5（五氧化二鉭）
	膜特性 [折射率] 2.16（約550 nm） [工作波長范圍] 0.35至10μm　 [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 8.73 g / cm ³ [熔點] 1468°C [沸點]- [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

15號	膜 /材料特性
	Ti3O5（五氧化鈦）
	膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長范圍] 0.35至12μm　 [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度]- [熔點]-[沸點]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于稀硫酸/稀鹽酸

16號	膜 /材料特性
	TiO（一氧化鈦）
	膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長范圍] 0.35至12μm　 [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 4.93 g / cm ³ [熔點] 1750°C [沸點] 3000°C [材料]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于稀硫酸/稀鹽酸

17號	膜 /材料特性
	TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
	膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長范圍] 0.35至12μm　 [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 4.26 g / cm ³ [熔點] 1850°C [沸點] 3000°C [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸和堿

18號	膜 /材料特性
	WO3（氧化鎢）
	膜特性 [折射率] 2.2（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.4μm? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	物性 [理論密度] 7.15 g / cm ³ [熔點] 1473°C [沸點]- [性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于堿性水溶液

19號	膜 /材料特性
	Y2O3（氧化釔-氧化釔）
	膜特性 [折射率] 1.87（約550 nm） [ 工作波長范圍] 0.25至2μm [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 5.03 g / cm ³ [熔點] 2410℃[沸點] 4300℃ [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于酸，不溶于堿

20號	膜 /材料特性
	Yb2O3（氧化y）
	膜特性 [折射率] 1.75（ 550nm 附近）[工作波長范圍]0.28??　 [蒸發(fā)方法] EB	材料特性 [理論密度] 9.2 g / cm ³ [熔點] 1,127°C [沸點] 1,850°C [　材料 ]○水溶性：不溶

21號	膜 /材料特性
	ZnO（氧化鋅）
	膜特性 [折射率] 2.1（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.35至20μm　 [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 5.47 g / cm ³ [熔點] 1975°C [沸點]- [性能]○水溶性：微溶性○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶

22號	膜 /材料特性
	ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
	膜特性 [折射率] 2.05（約550 nm） [ 工作波長范圍] 0.3至8μm [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 5.56g / cm ³ [熔點] 2677℃[沸點] 4548℃　 [性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸，氫fu酸

23號	膜 /材料特性
	ZRT2（ZrO2 + TiO2）
	膜特性 [折射率] 2.10（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.3到7μm [蒸發(fā)方法] EB	材料特性 [理論密度]- [熔點]-[沸點]-[ 材料 ]-

24號	膜 /材料特性
	AlF3（氟化鋁）
	膜特性 [折射率] 1.38（約550 nm） [工作波長范圍] 0.22至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB	材料特性 [理論密度] 2.88 g / cm ³ [熔點] 1040°C [沸點] 1260°C（升華） [ 材料 ]○水溶性：可溶

25號	膜 /材料特性
	BaF2（氟化鋇）
	膜特性 [折射率] 1.48（約 550nm ）[工作波長范圍] 0.25?15E　 [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB	材料特性 [理論密度] 4.87g / cm ³（20℃） [熔點] 1,287℃[沸點] 1,287℃[　材料 ]○水溶性：0.16g / 100g 20℃

26號	膜 /材料特性
	BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）
	薄膜特性 [折射率]- [波長范圍]-　 [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB	材料特性 [理論密度]-　 [熔點]-[沸點]-　 [性質(zhì)]-

27號	膜 /材料特性
	CaF2（氟化鈣）
	膜特性 [折射率] 1.23至1.45（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.15至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱	材料特性 [理論密度] 3.18 g / cm ³ [熔點] 1418°C [沸點] 2500°C [材料]○水溶性：水18°C 0.0016g / 100g，微溶（稀無機(jī)酸），不溶：乙酸

28號	膜 /材料特性
	CeF3（氟化鈰）
	薄膜特性 [折射率] 1.63（約550 nm） [工作波長范圍] 0.3至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，電子束	材料性能 [理論密度] 5.8 g / cm ³ [熔點] 1324°C [沸點] 1360°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸

29號	膜 /材料特性
	GdF3（氟化ga）
	膜特性 [折射率] 1.59（約550 nm） [工作波長范圍] 0.28μm? [蒸發(fā)方法]電阻加熱	材料特性 [理論密度]- [熔點] 1231℃[沸點] 2277℃ [ 材料 ]不溶（水）

30號	膜 /材料特性
	LaF3（氟化鑭）
	薄膜特性 [折射率] 1.59（約550 nm） [工作波長范圍] 0.22至14μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB	材料性能 [理論密度] 5.9 g / cm ³ [熔點] 1490°C [沸點] 2300°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸

31號	膜 /材料特性
	LiF（氟化鋰）
	膜特性 [折射率] 1.3（約550 nm） [工作波長范圍] 0.11至8μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱	物性 [理論密度] 2.64 g / cm ³ [熔點] 842°C [沸點] 1680°C [ 材料 ]○水溶性：微溶可溶性：氫fu酸

32號	膜 /材料特性
	MgF2（氟化鎂）
	膜特性 [折射率] 1.38至1.4（約550 nm） [工作波長范圍] 0.13至10μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料性能 [理論密度] 3.2 g / cm ³ [熔點] 1248°C [沸點] 2260°C [材料]○水溶性：微溶和可溶（NHO3）

33號	膜 /材料特性
	NaF（氟化鈉）
	膜特性 [折射率] 1.34（約550 nm） [工作波長范圍] 0.13至15μm　 [蒸發(fā)方法]電阻加熱	材料特性 [理論密度] 2.78 g / cm ³ [熔點] 988°C [沸點] 1704°C [ 材料 ]可溶性（水，氫fu酸）

34號	膜 /材料特性
	NdF3（氟化釹）
	膜特性 [折射率] 1.61（約550 nm） [工作波長范圍] 0.17至12μm　 [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料特性 [理論密度] 6.5 g / cm ³ [熔點] 1374°C [沸點] 2327°C [ 材料 ]-

35號	膜 /材料特性
	SmF3（氟化mar）
	膜特性 [折射率]- [使用的波長范圍]- [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料性能 [理論密度] 6.5 g / cm ³ [熔點] 1306°C。[沸點] 2427°C。 [自然]可溶性（硫酸鹽），不溶（水）

36號	膜 /材料特性
	YbF3（氟化tter）
	膜特性 [折射率] 1.5（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.22-12μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料特性 [理論密度] 8.2g / cm ³ [熔點] 1157℃[沸點] 2230℃ [ 材料 ]-

37號	膜 /材料特性
	YF3（氟化釔）
	膜特性 [折射率] 1.5（550 nm附近） [工作波長范圍] 0.2-14μm　 [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱	材料性能 [理論密度] 5.07 g / cm ³ [熔點] 1152°C [沸點] 2230°C [ 材料 ]不溶（水），分解（濃酸）

38號	膜 /材料特性
	硫化鋅
	膜特性 [折射率] 2.35（約550 nm） [工作波長范圍] 0.38?1.4?　 [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB	物性 [理論密度] 4.06 g / cm ³ [熔點] 1,850℃[沸點]- [ 材料 ]○水溶性：不溶

39號	膜 /材料特性
	AlN（氮化鋁）
	膜特性 [折射率] 1.9-2.2（630 nm附近） [工作波長范圍]0.3??IR [蒸發(fā)方法] EB	材料性能 [理論密度] 3.25 g / cm ³ [熔點] 3,000°C [沸點]- [ 材料 ]○水溶性：與水反應(yīng)（生成氨）

40號	膜 /材料特性
	Si3N4（氮化硅）
	膜特性 [折射率] 1.72（約1,500?） [ 工作波長范圍]0.25-9?　 [蒸發(fā)方法] EB	材料特性 [理論密度] 3.18 g / cm ³ [熔點]-[沸點]-[ 材料 ]○水溶性：不溶

41號	膜 /材料特性
	TiN（氮化鈦）
	膜特性 [折射率] 1.39-i2.84（650 nm附近） [ 工作波長范圍]-　 [蒸發(fā)方法] EB	物性 [理論密度] 5.44 g / cm ³ [熔點] 2,980°C。[沸點]以上 [性質(zhì)]○可溶：不溶

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日本京都薄膜材料KTM用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料

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