圖案化晶圓檢測(cè)設(shè)備包括SEM檢測(cè)設(shè)備、明場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備和暗場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備。 它們各有各的特點(diǎn)，但基本的缺陷檢測(cè)原理是相同的。
半導(dǎo)體晶圓與具有相同圖案的電子設(shè)備并排制造。
隨機(jī)缺陷通常是由異物等碎屑引起的，顧名思義，它們發(fā)生在晶圓上未定的（隨機(jī)）位置。 在特定位置重復(fù)發(fā)生的概率被認(rèn)為非常低。 因此，缺陷檢測(cè)設(shè)備通過比較相鄰芯片（也稱為芯片）的圖案圖像并取差異來(lái)檢測(cè)缺陷。

圖5-1說明了圖案化晶圓上的缺陷檢測(cè)原理。
電子束和光沿芯片陣列捕獲晶圓上圖案的圖像。 為了使缺陷檢查裝置檢測(cè)缺陷，請(qǐng)將要檢查的模具的圖像（1）與相鄰模具（2）的圖像進(jìn)行比較。
當(dāng)圖像經(jīng)過數(shù)字處理和減去時(shí)，如果根本沒有缺陷，則減法為“0"，未檢測(cè)到缺陷。 另一方面，如圖所示，在減去（2）中的模具圖像有缺陷后，缺陷的圖像保留在差分圖像（3）中。 然后，缺陷檢查器檢測(cè)到缺陷，并將其與其位置坐標(biāo)進(jìn)行登記。

無(wú)圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于晶圓制造商的晶圓出貨檢驗(yàn)、設(shè)備制造商的晶圓驗(yàn)收檢驗(yàn)以及設(shè)備清潔度監(jiān)測(cè)。它用于設(shè)備狀態(tài)檢查等。 設(shè)備狀況檢查還用于設(shè)備制造商的運(yùn)輸檢查和設(shè)備制造商在交付設(shè)備時(shí)的驗(yàn)收檢查。
將用于清潔監(jiān)測(cè)的鏡面晶片裝入制造設(shè)備，在設(shè)備中移動(dòng)載物臺(tái)后，監(jiān)測(cè)異物程度并檢查設(shè)備的清潔度。

圖5-2顯示了無(wú)圖案晶圓的缺陷檢測(cè)原理。
在沒有圖案的情況下，直接檢測(cè)缺陷，無(wú)需任何特定的圖像比較。
激光束照射在旋轉(zhuǎn)晶圓上并沿徑向移動(dòng)（相對(duì)）以照射晶片的整個(gè)表面。

當(dāng)晶圓旋轉(zhuǎn)并且激光束擊中異物/缺陷時(shí)，光被散射，散射光被檢測(cè)器檢測(cè)到。 這將檢測(cè)異物/缺陷。 根據(jù)晶圓的旋轉(zhuǎn)角度和激光束的徑向位置，確定并記錄異物/缺陷的坐標(biāo)位置。
鏡面晶圓上的缺陷不僅是異物，還有COP等晶體缺陷。

產(chǎn)品介紹

介紹我們的缺陷審查SEM和晶圓檢測(cè)設(shè)備陣容。