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日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀

產(chǎn)品型號: NC-10/NC-20

所屬分類:其他設(shè)備

產(chǎn)品時間:2024-09-07

簡要描述:日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20
使用個人計(jì)算機(jī)節(jié)省空間,易于操作和數(shù)據(jù)處理
由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進(jìn)行測量而不會損壞它。
由于探頭是可拆卸和可更換的,因此可以方便地用每個量程的探頭進(jìn)行更換。
(*對第二個和后續(xù)電阻探頭的可選支持)
中心1點(diǎn)測量
厚度/溫度補(bǔ)償功能(硅晶片)

詳細(xì)說明:

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 使用個人計(jì)算機(jī)節(jié)省空間,易于操作和數(shù)據(jù)處理
  • 由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進(jìn)行測量而不會損壞它。
  • 由于探頭是可拆卸和可更換的,因此可以方便地用每個量程的探頭進(jìn)行更換。
  • (*對第二個和后續(xù)電阻探頭的可選支持)
  • 中心1點(diǎn)測量
  • 厚度/溫度補(bǔ)償功能(硅晶片)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)材料(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測量儀NC-10/NC-20

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[ 抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 



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