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日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

產(chǎn)品型號：

所屬分類：熱導(dǎo)率

產(chǎn)品時間：2024-09-09

簡要描述：日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω
該設(shè)備是世界上唯yi使用2ω方法測量納米薄膜在厚度方向上的導(dǎo)熱率的商用設(shè)備。與其他方法相比，樣品的生產(chǎn)和測量更加容易。

詳細說明：

日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

該設(shè)備是世界上唯yi使用2ω方法測量納米薄膜在厚度方向上的導(dǎo)熱率的商用設(shè)備。與其他方法相比，樣品的生產(chǎn)和測量更加容易。

使用

  • 量化低K絕緣膜的熱阻，以用于半導(dǎo)體器件的熱設(shè)計
  • 絕緣膜的開發(fā)和散熱的改善
  • 在熱電薄膜中的應(yīng)用評價

特征

  • 可以測量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的熱導(dǎo)率。
  • 使用熱反射法通過溫度幅度檢測實現(xiàn)測量
  • 易于預(yù)處理的測量樣品

日本advance2ω法納米薄膜熱導(dǎo)儀TCN-2ω

規(guī)格

測量溫度逆時針
樣品尺寸寬10毫米x長10至20毫米x厚度0.3至1毫米（板）
測量氣氛在真空中

測量原理

關(guān)于“在絕熱邊界條件下通過2ω法評估薄片樣品的導(dǎo)熱系數(shù)”的論文

當(dāng)金屬薄膜以f / Hz的頻率加熱時，加熱量變化為2f / Hz。
在充分散熱的條件下，金屬薄膜（0）–薄膜（1）–基板（s）的三層系統(tǒng)中金屬薄膜表面的溫度變化T（0）是一維的穿過金屬薄膜/薄膜，以下公式用于表示傳熱模型的解析解。

（Λ：導(dǎo)熱率W m -1 K -1，C：體積比熱容JK -1 m -3，q：每體積的熱量W m -3，d：厚度m，ω：角頻率（=2πf） / s -1）

由于實數(shù)解（同相振幅）包含薄膜的信息，因此在相同條件下以不同頻率進行測量時，同相振幅與（2ω）-0.5成比例。
的熱導(dǎo)率λ 1所述的薄膜是通過以下公式獲得。
（M：斜率，n：截距）

Si基板上的SiO 2薄膜（20-100 nm）的示例

薄膜厚度/ nm19.951.096.8
導(dǎo)熱系數(shù)/ Wm -1 K -10.821.121.20


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