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產(chǎn)品中心

Product center

  1. 2024

    12-16

    熱顯微鏡TM3對(duì)薄膜熱射流率的測(cè)試分析隨著電子及微電子器件日益呈現(xiàn)小型化、薄型化和多功能集成化的發(fā)展特點(diǎn),電子產(chǎn)品的運(yùn)行功率和布線密度大幅增加,使得電子元器件、集成電路在單位體積內(nèi)產(chǎn)生的熱量急劇上升。由此引起的熱堆積現(xiàn)象愈發(fā)嚴(yán)重,導(dǎo)致電路傳...

  2. 2024

    12-16

    多孔金屬材料的熱導(dǎo)率測(cè)量方法分析導(dǎo)熱系數(shù)作為材料最重要的熱物性參數(shù),在航空航天、微電子技術(shù)、能源有效利用、核能技術(shù)、新材料開(kāi)發(fā)等高新技術(shù)領(lǐng)域,以及石油化工、鋼鐵冶金、建筑節(jié)能、制冷空調(diào)等工業(yè)領(lǐng)域具有重要的工程應(yīng)用價(jià)值,其參數(shù)值的準(zhǔn)確測(cè)量起著...

  3. 2024

    12-12

    ditect小型高清高速攝像機(jī)HAS-U2產(chǎn)品介紹這是一款手掌大小的高清5.3兆像素高速相機(jī),兼容“USB3.0高速接口”。它有兩種使用方式:作為使用內(nèi)置2GB記錄存儲(chǔ)器的“記憶相機(jī)”,以及使用高速串行總線的“圖像采集卡相機(jī)”,實(shí)際傳輸速度...

  4. 2024

    12-12

    碳鍍膜機(jī)與高真空蒸發(fā)設(shè)備的區(qū)別碳鍍膜機(jī)主要分為僅有旋轉(zhuǎn)泵排氣的設(shè)備或配備渦輪泵的高真空蒸發(fā)設(shè)備。了解高真空蒸發(fā)設(shè)備性能的差異在選擇設(shè)備時(shí)非常有用。旋轉(zhuǎn)泵排氣氣相沉積設(shè)備VC-300S/W、VES-10高真空抽真空沉積設(shè)備VE-2013、VE...

  5. 2024

    12-12

    鋨鍍膜機(jī)HPC-20設(shè)備安裝及工作空間教導(dǎo)鋨鍍膜機(jī)是一種將四氧化俄晶體升華的鋨氣體充滿(mǎn)腔室,使用等離子體電離鋨,并對(duì)樣品進(jìn)行鍍膜的裝置。鋨等離子鍍膜機(jī)具有優(yōu)異的包覆性,而且由于是非晶態(tài),因此沒(méi)有顆粒狀,顆粒非常細(xì)小,使得在FE-SEM等電子...

  6. 2024

    12-12

    關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-8in推薦實(shí)用程序該裝置是使用磁控管靶的金屬鍍膜裝置。用于8英寸晶圓等大面積樣品,以及多個(gè)樣品的同時(shí)處理。MSP-8in的靶電極沿靶金屬表面形成多個(gè)同心磁場(chǎng),通過(guò)捕獲該磁場(chǎng)中的電子,提高濺射靶金屬的等離子體離子密度。...

  7. 2024

    12-11

    磁控濺射設(shè)備MSP-1S濺射金屬粒子的比較分析該設(shè)備專(zhuān)用于貴金屬薄膜鍍膜,用于SEM觀察。這是一種用貴金屬涂覆SEM樣品以防止充電并提高二次電子產(chǎn)生效率的裝置。除了使用磁控管靶電極進(jìn)行低壓放電外,還將樣品臺(tái)制成浮動(dòng)式,以減少電子束流入對(duì)樣品...

  8. 2024

    12-11

    關(guān)于shinkuu射頻濺射的說(shuō)明什么是射頻濺射?RF濺射是一種使用稱(chēng)為RF(射頻)的高頻帶電源的濺射方法。它常被用作直流濺射無(wú)法進(jìn)行的絕緣靶材的濺射電源。盡管可以濺射各種靶材,但它往往比直流濺射源更昂貴,因?yàn)樗枰惭b射頻匹配單元等。本頁(yè)面...

  9. 2024

    12-11

    什么是護(hù)理食品檢測(cè)技術(shù)?“CF-200N”系列基于2021年吞咽調(diào)節(jié)食品分類(lèi)。(2021年社會(huì)分類(lèi))通用設(shè)計(jì)引擎蓋(UDF)標(biāo)準(zhǔn)容易地可以確定護(hù)理食品檢測(cè)儀(質(zhì)構(gòu)分析儀)是。2021年吞咽調(diào)節(jié)食品分類(lèi)(2021年社會(huì)分類(lèi))2021年學(xué)術(shù)團(tuán)體...

  10. 2024

    12-11

    晶圓拋光晶片拋光過(guò)程中旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)的平面度檢測(cè)設(shè)備推薦在半導(dǎo)體制造設(shè)備的晶片拋光過(guò)程中,需要保持裝有晶片的上板和鋪有拋光布的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)(下板)的平面度。如果出現(xiàn)問(wèn)題,晶圓就會(huì)厚度不均勻,不平整,無(wú)法進(jìn)行均勻的拋光。此外,曝光期間圖像也會(huì)失焦。...

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